被列入“美国发明家名人堂”的发明
华裔科学家卓以和登“美国发明家名人堂”
卓以和被誉为“分子束外延技术之父”
华裔科学家卓以和荣登美国发明家名人堂。图为卓以和在美国贝尔实验室博物馆。
据香港《文汇报》报道，美国专利商标局(USPTO)昨日(2月11日)公布本年度入选“全国发明家名人堂”的名单，华裔电机工程学家卓以和，连同另外14名在世或已故科学家齐齐登上名人堂。
现年72岁的卓以和被誉为“分子束外延技术之父”，他发明的半导体材料广泛应用于手提电话、CD或DVD播放机等产品，助他屡获殊荣。
美国“全国发明家名人堂”由官方机构USPTO及美国知识产权法协会于1973年成立，连同今年10位在世及5位已故的入选者在内，已有多达...全部
华裔科学家卓以和登“美国发明家名人堂”
卓以和被誉为“分子束外延技术之父”
华裔科学家卓以和荣登美国发明家名人堂。图为卓以和在美国贝尔实验室博物馆。
据香港《文汇报》报道，美国专利商标局(USPTO)昨日(2月11日)公布本年度入选“全国发明家名人堂”的名单，华裔电机工程学家卓以和，连同另外14名在世或已故科学家齐齐登上名人堂。
现年72岁的卓以和被誉为“分子束外延技术之父”，他发明的半导体材料广泛应用于手提电话、CD或DVD播放机等产品，助他屡获殊荣。
美国“全国发明家名人堂”由官方机构USPTO及美国知识产权法协会于1973年成立，连同今年10位在世及5位已故的入选者在内，已有多达404位发明家成功登上名人堂。
过去亦曾有其他华人入选名人堂，包括“计算机大王”王安。
卓以和1937年生于北京，1949年来港，曾就读于培正中学。1955年赴美留学，1968年获伊利诺伊大学博士学位，现任美国贝尔实验室半导体研究所副所长。
1985年获选为美国科学院院士，1996年为中国科学院外籍院士。曾于1993年获颁美国科学家最高荣誉的国家科学奖章。
卓以和是国际公认的分子束外延、人工微结构材料生长和新型器件研究领域的奠基人与开拓者。
他用新材料成功研制出10多种极为重要、性能优异的新型微波高速电子仪器及光电子仪器，多次领先同侪。
最近10年间，分子束外延研究获得长足发展，在激光、医学检测、环境分析、半导体制造等方面得到广泛应用，令卓以和在2007年再次获颁美国国家科学奖章及国家技术奖章。
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