氧化锌是什么？

氧化锌纳米阵列有什么特点？它与氧化锌薄膜的主要区别是什么？

ZnO材料是具有直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，其晶体具有三种结构：立方闪锌矿结构(Zinc Blende)、六边纤锌矿结构(Wurtzite)以及比较罕见的八面体岩盐结构(Rock salt)。 六边纤锌矿结构是自然界中稳定存在的ZnO晶体结构，其晶格常数a=0。324nm、c=0。519nm，室温下的禁带宽度约3。37eV。ZnO在室温下具有高达60meV的激子结合能，光增益系数300cm-1，能有效地工作于室温及更高的温度[1]。 ZnO材料在光电显示、压电器件、气敏传感器、透明导电薄膜、光发射器件中均有广泛的应用，并且其来源广泛，环保无毒，价格低廉，可以大规模生产，是现今研...全部

  ZnO材料是具有直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，其晶体具有三种结构：立方闪锌矿结构(Zinc Blende)、六边纤锌矿结构(Wurtzite)以及比较罕见的八面体岩盐结构(Rock salt)。
  六边纤锌矿结构是自然界中稳定存在的ZnO晶体结构，其晶格常数a=0。324nm、c=0。519nm，室温下的禁带宽度约3。37eV。ZnO在室温下具有高达60meV的激子结合能，光增益系数300cm-1，能有效地工作于室温及更高的温度[1]。
  ZnO材料在光电显示、压电器件、气敏传感器、透明导电薄膜、光发射器件中均有广泛的应用，并且其来源广泛，环保无毒，价格低廉，可以大规模生产，是现今研究的热点材料。 ZnO材料的宽带隙和高激子结合能，使其在光电领域有独特的优势。
  首先，宽带隙使ZnO在可见光波段(400～800nm)有高达80%的光学透过率，掺杂Al3 的ZnO薄膜，即ZnO：Al（ZAO），是一种具有优异光学特性和电学特性的透明导电薄膜 [2]。ZnO材料高激子结合能使其在室温下的受激辐射能在较低阈值出现，是一种理想的紫外光发射材料[3]，其在应用方面的突出热点是制备激光器(LDs)和ZnO基发光二极管(LEDs)等光电器件[4]。
  其次，ZnO高熔点的物理特性(1975℃)，使其具有很好的热化学稳定性。ZnO薄膜可在低于600℃下获得，有利于降低设备成本，抑制固体外扩散，可大大减少高温制备条件下产生的缺陷，提高薄膜质量。
  再次，ZnO器件制备工艺可与硅平面集成电路工艺相容。第四，ZnO是至今为止Ⅱ-Ⅵ族半导体材料中最硬的一种，可以避免像其它Ⅱ-Ⅵ族材料在光发射器件应用中出现的增殖现象。因此，研究ZnO材料的光电性能对于探索新型的光电器件将会是很有意义的工作[5-9]。
  本实验在ITO导电玻璃衬底上制备了不同温度退火的ZnO薄膜，并研究其结构和光学透过率以及电学方面的特性。收起