MOS控制电路. MOS控制电路.这个电路.加一个二极管和三极管.是怎样的一个工作过程.怎样加速导通.不太明白.讲讲这个过程
D1 由截止制状态向导通状态过渡，二极管的结电容很大，通过这个结电容与场效应管的栅漏电容的分压比，可以比较大幅度的提高上升沿的速度。
在下降沿时，三极管Q1导通，加快栅漏电容存储的电荷的释放速度。
从而起到对脉冲上升沿和下降沿的加速作用。
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简单地说，在脉冲的上升沿，可以把二极管D看作一个比较大的电容器（结电容）。 由于这个结电容的容量远大于栅漏电容的容量，由电容器的分压比可知，分压点的电压就是=脉冲电源的电压*（1-栅漏电容/结电容），因此减少由于栅漏电容的原因造成上升沿在时间上的延迟。
不过，这只是某些人的看法...全部
D1 由截止制状态向导通状态过渡，二极管的结电容很大，通过这个结电容与场效应管的栅漏电容的分压比，可以比较大幅度的提高上升沿的速度。
在下降沿时，三极管Q1导通，加快栅漏电容存储的电荷的释放速度。
从而起到对脉冲上升沿和下降沿的加速作用。
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简单地说，在脉冲的上升沿，可以把二极管D看作一个比较大的电容器（结电容）。
由于这个结电容的容量远大于栅漏电容的容量，由电容器的分压比可知，分压点的电压就是=脉冲电源的电压*（1-栅漏电容/结电容），因此减少由于栅漏电容的原因造成上升沿在时间上的延迟。
不过，这只是某些人的看法。
实际上，还有一些人对这个二极管的作用表示质疑。因为，所谓栅漏电容造成延迟，必然是因为信号源的内最较大，否则，不会因为那一点点栅漏电容造成延迟。那好，既然信号源内阻大，那么增加这个二极管并没有减小信号源内阻，而仅仅是在这个内阻上串联了一个结电容（二极管），即使这个结电容相当于短路，也丝毫不起作用。
更何况，由于串入二极管，更加大了信号源的内阻。故，此二极管不会起到加速上升沿的作用。所以，另一些人对此电路表示质疑。
如果你有兴趣的话，也可以观察一下输出波形，有无这个二极管，脉冲上升沿是否能够得到改善。收起
