我们知道,电导率越高,其导电性能越好。细化到半导体中,杂质含量越高,电导率越高。通过ICP-OES与电导率相结合的方法,我们发现此理论上的规律好像与实际情况没有很匹配,请问这是什么原因?
半导体掺杂后其电阻率大大下降,同时电导率上升。通常掺杂浓度越高,半导体的导电性就会变得越好,原因是能进入传导带的电子数量会随着掺杂浓度提高而增加。
但是,不能简单地认为电导率和杂质浓度成正比关系。
在一定的浓度范围内,它们有可能是线性的或是接近线性的。但是在其他浓度范围,可能只是非线性的正比关系。
由于半导体里离子的位置相对固定,不像溶液那样均匀且有移动性。
导电性与离子浓度之间的关系比溶液复杂的多。即使是在溶液里,导电率也不是完全线性的。另外,温度和其他离子的存在都会影响导电性。在技术手段上,半导体本身纯度以及掺杂的离子纯度也很难控制。这可以从样品的重现性看出来。
所以,在很大程度上,电导率与浓度没有简单的线性的关系。导电性往往没有什么直接计算的方法而只能通过实验曲线来表示。
又:回答你附加的问题,杂质总量控制在1000ppm之内,是够与电导率的大小有一定的相关性?
应该是有很高的相关性。
但是相关性曲线的质量取决于掺杂实验数据的重现性。 所以要得到有足够说服力的结论,每一个掺杂浓度都可能要反复做好几次,最后要用一条大量数据做成的曲线才能说明问题。