请从微电子学角度阐明为什么三极管Ic=β
仅仅作为理解上的描述，我做一些形象的说明。因为我入门的时候也曾在这里纠结过！要想最圆满的回答，要用到能带理论。当然楼上的朋友提的建议是对的，三极管要在一定的工作条件下，才满足Ic=β•Ib！
三极管（npn为例）的这种现象来源于它的工艺结构：发射极掺杂浓度很高，就是说有足够的电子发射能力。 基区很薄，就是说电子很容易穿过。而集电区很厚，可以承受足够的电压。若基极悬空，集-射加正向电压，则集电结反向偏置，阻挡层变厚，主要靠少数载流子（基区的电子，集电区的空穴）导电，想象一下：基区（p区）本来就不多的电子变得更加稀少。 对于发射结来说是正向偏置，由于大部分电压降落在集电结，所以...全部
仅仅作为理解上的描述，我做一些形象的说明。因为我入门的时候也曾在这里纠结过！要想最圆满的回答，要用到能带理论。当然楼上的朋友提的建议是对的，三极管要在一定的工作条件下，才满足Ic=β•Ib！
三极管（npn为例）的这种现象来源于它的工艺结构：发射极掺杂浓度很高，就是说有足够的电子发射能力。
基区很薄，就是说电子很容易穿过。而集电区很厚，可以承受足够的电压。若基极悬空，集-射加正向电压，则集电结反向偏置，阻挡层变厚，主要靠少数载流子（基区的电子，集电区的空穴）导电，想象一下：基区（p区）本来就不多的电子变得更加稀少。
对于发射结来说是正向偏置，由于大部分电压降落在集电结，所以并不导通，就是二极管特性0。7V以前的那段曲线，而且电阻还挺大！发射区里的电子无法越过发射结进入基区。
注入电流Ib时，基极电流由基区空穴和发射区的电子构成！由于结构的原因（刚开始强调的），空穴和电子的比例差异很大！而发射区的电子进入基区后，则成了集电结的少数载流子，别忘了它现在是反向偏置，对于突然增加的少数载流子，理所当然地由强大的集电结电场拉入集电区，形成集电极电流。
这也是为什么基区要做薄的原因。而基区的空穴是不受集电结电场欢迎的（反向偏置），于是成为了基极电流的主要组成。
可见，从这个意义上来说，基区空穴和发射区电子的浓度比虽然不能说就是β，但是β却来源于这个比值！
粗浅的解释只能这样了，但愿对你有所帮助！我更喜欢你刨根问底的精神！精准的解释要用到固体物理，前提是学好量子力学。收起
