直拉法单晶硅是怎样生产的？
直拉法生产单晶硅是以多晶硅为原料，先使多晶硅在石英坩埚里熔化成液态，随后使其定向结晶，最后变成硅的单晶体，也就是单晶硅。直拉法单晶硅是怎样生产的呢？直拉法生产单晶硅的全过程，一般可分为准备、装炉、抽真空、充人保护气体、熔硅、种晶、缩颈、放肩、等径、收尾十个工序。 （1） 准备。在单晶硅拉制前，首先要对单晶炉的炉室及多晶硅、合金、籽晶和石英坩埚等进行清洁处理。清洁处理是十分重要的，也是一项十分细致的工作。实践证明，没有严格细致的清洁处理，就很难生产出合格的单晶硅。 （2） 装炉。清洁处理工作完成后就可进行装炉。寒炉是把处理合格的多晶硅碎块和合金装人石英坩埚6里；将籽晶7安装在籽晶夹上。装...全部
直拉法生产单晶硅是以多晶硅为原料，先使多晶硅在石英坩埚里熔化成液态，随后使其定向结晶，最后变成硅的单晶体，也就是单晶硅。直拉法单晶硅是怎样生产的呢？直拉法生产单晶硅的全过程，一般可分为准备、装炉、抽真空、充人保护气体、熔硅、种晶、缩颈、放肩、等径、收尾十个工序。
（1） 准备。在单晶硅拉制前，首先要对单晶炉的炉室及多晶硅、合金、籽晶和石英坩埚等进行清洁处理。清洁处理是十分重要的，也是一项十分细致的工作。实践证明，没有严格细致的清洁处理，就很难生产出合格的单晶硅。
（2） 装炉。清洁处理工作完成后就可进行装炉。寒炉是把处理合格的多晶硅碎块和合金装人石英坩埚6里；将籽晶7安装在籽晶夹上。装炉要注意的是：装料所用的多晶硅碎块的大小要适当，装人石英坩埚的多晶硅碎块的底部不能有过多的空隙，不能碰到石英坩埚上边沿。
（3） 抽真空。装炉完毕后就可盖上炉盖5,并做好密封，使整个炉室3成为一个密封的中空室。密封工作完成后要对整个炉室3抽真空，使之真空达到1（TS〜lCT5mmHg®。（4） 充氩。抽真空合格后要给炉室3通人保护气体（氩气或氢气、氩气的混合气）。
这里要说明的是，有的单位拉晶是不补充保护气体的，而是直接在真空状态下生产单晶硅，这样就没有充氩这一环节。（5） 熔硅。以上工作都完成后就可给加热器送电熔硅。送电应逐渐加大加热功率，使多晶硅在20min内全部熔化，并且将温度控制在略高于硅熔点的温度（1420°C）。
（6） 种晶。当石英坩埚6里的多晶硅全部熔化后就可以进行种晶。熔接又被称为熔接或引晶。种晶就是让籽晶7与熔化的多晶硅液体9接触并接成一体。种晶时要先将籽晶7下降至多晶硅液面附近数毫米处暂停片刻，为籽晶7预热几分钟。
随后就可将籽晶7伸进多晶硅液体9 中。此时，操作者应调节温度，使籽晶7的头部溶解并与多晶硅液体9完全熔接好，然后以一定速度（籽晶轴以2〜3mm/min速度上升）向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体。
（7） 缩颈。种晶完成后就可以开始缩颈。缩颈时，要稍稍提高温度，并且将籽晶7快速提升，缩小结晶直径。生长一定长度的缩小的细长颈的晶体，以防止籽晶7中的位错延伸到晶体中。（8） 放肩。引晶、缩颈后就可以进行放肩。
放肩是为了加大拉出单晶硅棒的直径。在中可以看出，籽晶7直径很细，如果不放肩，拉出的单晶硅就会直径很小，无法使用，因此，必须放肩。放肩时要逐渐降低温度，以便长出肩来；需要单晶硅棒的直径越大，则降低的温度也越多。
当放肩到所需的直径后，就可以正式拉晶。（9） 等径。等径就是正式拉晶。放肩到所需的直径后，要校正温度，稳定生长速率，使晶体直径保持不变，一直到拉晶完毕。（10） 收尾。收尾时，要加快提升速率，同时升高熔硅温度，使晶体直径逐渐变小，形成一个圆锥形，最终离开液面。
收尾后，拉晶就算完成了。收起
