PN结的反向击穿电压是多少?二极
PN结的击穿特性
当PN结上加的反向电压增大到一定数值时,反向电流突然剧增,这种现象称为PN结的反向击穿。PN结出现击穿时的反向电压称为反向击穿电压,用VB表示。反向击穿可分为雪崩击穿和齐纳击穿两类。
1.雪崩击穿
当反向电压较高时,结内电场很强,使得在结内作漂移运动的少数载流子获得很大的动能。当它与结内原子发生直接碰撞时,将原子电离,产生新的"电子一空穴对"。这些新的"电子一空穴对",又被强电场加速再去碰撞其它原子,产生更多的"电子一空穴对"。 如此链锁反应,使结内载流子数目剧增,并在反向电压作用下作漂移运动,形成很大的反向电流。这种击穿称为雪崩击穿。显然雪崩击穿的物理本质是碰撞电...全部
PN结的击穿特性
当PN结上加的反向电压增大到一定数值时,反向电流突然剧增,这种现象称为PN结的反向击穿。PN结出现击穿时的反向电压称为反向击穿电压,用VB表示。反向击穿可分为雪崩击穿和齐纳击穿两类。
1.雪崩击穿
当反向电压较高时,结内电场很强,使得在结内作漂移运动的少数载流子获得很大的动能。当它与结内原子发生直接碰撞时,将原子电离,产生新的"电子一空穴对"。这些新的"电子一空穴对",又被强电场加速再去碰撞其它原子,产生更多的"电子一空穴对"。
如此链锁反应,使结内载流子数目剧增,并在反向电压作用下作漂移运动,形成很大的反向电流。这种击穿称为雪崩击穿。显然雪崩击穿的物理本质是碰撞电离。
2.齐纳击穿
齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。
由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。
它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。
采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。
在5~8V之间两种击穿可能同时发生。
二极管和三极管PN结的反向击穿电压都不一样,bc结是反向电压,同样有各种击穿电压。稳压管也有各种电压。当然都有最大电流设计。收起