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PN结的反向击穿电压是多少?二极管三极管和稳压管是否一样呢?

请问在电子电路中.PN结的反向击穿电压是多少?二极管和三极管是否一样?稳压管呢?

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2008-09-11

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不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用. 补充:应该是所有硅材料管(PNP和NPN)的BE结都有反向击穿电压都是6V这特性,利用这特性可鉴别管子的C和E脚,用10K档分别测BC和BE的反向电阻,击穿的是BE结。

2008-09-12

    反向击穿电压,是可以通过半导体材料选择、掺杂质的浓度、PN结的制造工艺等进行控制的。PN结反向击穿电压的数值,可以从几伏到几千伏。   稳压二极管就是工作在反向击穿状态,电压可以从几伏到几百伏。
  
  整流二极管反向击穿电压通常在几十伏到几千伏。   一般来说,三极管B-C间反向击穿电压在几十伏到几百伏之间;E-B间反向击穿电压在几伏到十几伏之间。扩散型硅高频三极管E-B间反向击穿电压通常在6V左右,可以用来代替6V左右的小功率稳压管。

2008-09-12

    PN结的击穿特性 当PN结上加的反向电压增大到一定数值时,反向电流突然剧增,这种现象称为PN结的反向击穿。PN结出现击穿时的反向电压称为反向击穿电压,用VB表示。
  反向击穿可分为雪崩击穿和齐纳击穿两类。 1.雪崩击穿 当反向电压较高时,结内电场很强,使得在结内作漂移运动的少数载流子获得很大的动能。  当它与结内原子发生直接碰撞时,将原子电离,产生新的"电子一空穴对"。
  这些新的"电子一空穴对",又被强电场加速再去碰撞其它原子,产生更多的"电子一空穴对"。如此链锁反应,使结内载流子数目剧增,并在反向电压作用下作漂移运动,形成很大的反向电流。这种击穿称为雪崩击穿。
    显然雪崩击穿的物理本质是碰撞电离。 2.齐纳击穿 齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达左右)。
  在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。  它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。
   采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。 二极管和三极管PN结的反向击穿电压都不一样,bc结是反向电压,同样有各种击穿电压。
    稳压管也有各种电压。当然都有最大电流设计。

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