简述20世纪八十年代与20世纪九十年代的CMOS工艺，并指出其区别
）采用氧化工艺进行器件间的隔离 2）采用磷化硅玻璃和回流进行平坦化 3）使用正性光刻胶进行光刻 4）采用蒸发的方法进行金属层的淀积 5）使用发达的掩膜进行成像 6）用等离子体刻蚀和湿法刻蚀工艺进行图形刻蚀 其工艺流程如下： 1）硅片清洗：硅片在一系列化学溶液中的清洗，以去除颗粒，有机物和无机物沾污及去除自然氧化层。 漂洗、甩干 2）垫氧化：热生长15mm的氧化层，保护硅片表面免受沾污，阻止在主人过程中对硅片过度损伤，有助于控制注入过程中杂质的注入深度。同时也减少淀积的氮化层与硅片衬底的应力 3）低气压化学气相淀积氮化层：在低气压化学气相淀积设备中，氮气和二氧化硅反应，在硅片表面...全部
）采用氧化工艺进行器件间的隔离 2）采用磷化硅玻璃和回流进行平坦化 3）使用正性光刻胶进行光刻 4）采用蒸发的方法进行金属层的淀积 5）使用发达的掩膜进行成像 6）用等离子体刻蚀和湿法刻蚀工艺进行图形刻蚀 其工艺流程如下： 1）硅片清洗：硅片在一系列化学溶液中的清洗，以去除颗粒，有机物和无机物沾污及去除自然氧化层。
漂洗、甩干 2）垫氧化：热生长15mm的氧化层，保护硅片表面免受沾污，阻止在主人过程中对硅片过度损伤，有助于控制注入过程中杂质的注入深度。同时也减少淀积的氮化层与硅片衬底的应力 3）低气压化学气相淀积氮化层：在低气压化学气相淀积设备中，氮气和二氧化硅反应，在硅片表面上生成一薄膜层氮化硅。
作为局部氧化隔离生长二氧化硅的俺避蔽层 4）第一次光刻：涂覆光刻胶，已形成局部氧化区域 5）第一次掩膜版：硅局部掩膜版，决定了形成局部氧化区域 6）（局部氧化）对准和曝光：将掩膜版图形直接刻在到涂胶的硅片上，包括曝光、显影、坚膜等步骤 7）显影：显影液喷到硅片上，图形在硅片上显现出来，之后硅片进行坚膜，并对尺寸进行检测 8）氮化物刻蚀：没有光刻胶保护的氮化硅被强腐蚀性化学物质刻蚀掉 9）去掉光刻胶：在每一步骤刻蚀工艺之后都要将硅片上的光刻胶去除在一系列化学试剂中湿法清洗 10）隔离区注入：硼离子注入，目的是为了防止场区下硅表面反型，产生寄生沟道
11）场氧化：利用氮化硅掩膜氧化功能，在没有氮化硅层，并经硼离子注入的区域，生长一层场区域氧化成，厚度约为400mm 12）去除氮化物和垫氧层，并清洗 13）掩蔽氧化：通过氧化层生成一层sio2膜，用做杂质扩散掩蔽膜，膜厚350mm 14）第二次光刻：确定n阱区域，在N阱中制作PMOS管。
其中包括涂胶、烘烤、曝光、显影等步骤 15）N阱注入：为被光刻胶保护的区域允许高能粒子杂质穿透表面进入一定厚度 16）N阱驱进：先去除光刻胶，之后将注入杂质的硅片放入退火炉中进行退火，使得杂质向硅片更深处扩散，达到所需深度，同时可以消除注入引起的硅片损伤并将注入杂质激活。
之后去除掩蔽氧化层 17）生长栅氧化层：在生长栅氧化层之前先清洗硅片，去除沾污和氧化层，吧硅片放入氧化炉，在HCI气氛中，用于氧氧化生长一层致密的二氧化硅膜，厚度约为40mm 18）淀积多晶硅：利用硅烷分解在硅片表面淀积一层多晶硅，并马上进行多晶硅的掺杂，此步骤刻在同一工艺腔体中进行，也可以在不同的设备中进行 19）第三次光刻：形成栅极和局部互连图形，包括涂胶、烘烤、曝光、显影、坚膜等步骤 20）多晶硅刻蚀：刻蚀多晶硅，形成多晶硅栅极和局部互连，之后去除光刻胶 21）第四次光刻：形成N型源漏极区掩膜版区域图形，刻印硅片，以得到NMOS管被注入区域，其他区域被光刻胶保护着，包括涂胶、曝光、显影、坚膜等步骤 22）N型源漏极区离子注入：磷离子注入，形成NMOS源，漏区 23）第五次光刻-----第五次掩膜版 24）P型源漏区离子注入：鹏离子注入，形成PMOS源漏区 25）去除光刻胶 26）退火：在氮气下退火，并将源漏区推进，形成0。
3-0。5um的源漏区 27）低气压化学气相淀积屏蔽氮化物 28）化学气相淀积BPSG（鹏磷硅玻璃）钝化层 29）BPSG回流：目的是使得表面平滑 30）第六块掩膜版：接触空曝光，形成金属化接触孔图形。
包括涂胶、曝光、显影等 31）接触孔刻蚀：刻蚀金属化的接触孔，之后去除光刻胶 32）金属淀积：采用蒸发或溅射的方法淀积一层AL-Cu-Si合金，利于解决电迁移现象和防止AL片断裂 33）第七块掩膜版金属互连：包括涂胶，曝光，显影和金属刻蚀，去胶等，形成金属互连 34）化学气相淀积USG（未掺杂的二氧化硅） 35）化学气相淀积氮化物形成的钝化层。
收起
