谁知道什么能隔磁?
傻瓜中的笨蛋:你好！
磁屏蔽材料参数及材料划分：磁屏蔽体由磁性材料制成，衡量材料导磁能力的参数是磁导率，通常以数字来表示相对大小。真空磁导率为1，屏蔽材料的磁导率从200到350000；磁屏蔽材料的另一个重要参数是饱和磁化强度。 磁屏蔽材料一般分为三类，即高导磁材料、中导磁材料和高饱和材料。
高饱和磁导率材料的磁导率在80000-350000之间，经热处理后其饱和场可达7500Gs；中磁导率材料通常和高导材料一起使用，其磁导率值从12500-150000，饱和场15500Gs；高饱和场的磁导率值为200-50000，饱和场可达18000-21000Gs。
以下是一些常用量的定义：
G...全部
傻瓜中的笨蛋:你好！
磁屏蔽材料参数及材料划分：磁屏蔽体由磁性材料制成，衡量材料导磁能力的参数是磁导率，通常以数字来表示相对大小。真空磁导率为1，屏蔽材料的磁导率从200到350000；磁屏蔽材料的另一个重要参数是饱和磁化强度。
磁屏蔽材料一般分为三类，即高导磁材料、中导磁材料和高饱和材料。
高饱和磁导率材料的磁导率在80000-350000之间，经热处理后其饱和场可达7500Gs；中磁导率材料通常和高导材料一起使用，其磁导率值从12500-150000，饱和场15500Gs；高饱和场的磁导率值为200-50000，饱和场可达18000-21000Gs。
以下是一些常用量的定义：
Gs：磁通密度的单位，相当于每平方厘米面积上有一条磁力线通过。
磁通量：由磁场产生的所有磁力线的总和。
饱和磁场：即材料磁感应强度渐趋于一恒定值时对应的磁场。
B：屏蔽体中的磁通密度，单位Gs。
d：屏蔽体直径（注：当屏蔽体为矩形时指最长边的尺寸）。
Ho：外场强度，单位Oe。
μ：材料磁导率。
A：衰减量（相对值）。
t：屏蔽体厚度。
磁场强度：屏蔽体中磁场强度估算用下面公式：
B=2。5dHo/2t（Gs）
如用厚度为0。060″的材料制成直径为1。5″的屏蔽体，在80Gs的磁场中其内部磁场为2500Gs。
屏蔽体厚度：用以下公式估算：
t=Ad/μ（英寸）
如用磁导率为80000的材料制成直径为1。5″的屏蔽体，当要求实现1000/1的衰减量时，屏蔽体的厚度为
t=1000×1。
5/80000=0。019″
厚度设计还应综合考虑性价比的因素，一般屏蔽材料的磁导率应不低于80000，否则就要增加厚度以达到同样的屏蔽效果，则会导致费用的增加。
当场强很强时，厚度的选取应使材料工作于磁导率最大的场强下。
如当材料的磁导率在场强为2300-2500Gs时磁导率最大，则所需厚度为
t=1。25dHo/B（英寸）
如直径1。5″，长度6″的屏蔽体置于80Gs的磁场中，所需的厚度是0。
060″。
磁场衰减率：用下式估算：
A=μt/d
用此式对上面的数据计算可得到，当材料磁导率为350000时，其衰减率为14000。
磁通密度：被屏蔽空间内磁通密度为
B=Ho/A（Gs）
同样利用以上数据，则被屏蔽空间的磁场为0。
0057Gs。
更多的设计要点：
*开始设计前要正确估算干扰场的大小和频率，其次，正确评价能承受的干扰场的大小。
*用以屏蔽很强的磁场时，可采用多层屏蔽的结构。如果可能，两层屏蔽体间保留1/2″的间隙。
*在屏蔽如真空泵产生的强磁场时，要采用多层屏蔽结构。其中内层用低磁导率材料，中间层用中磁导率材料，外层用高磁导率材料。
*用单层结构屏蔽如CRTs等及其敏感的设备时，应在离设备5″处形成一个完整的屏蔽体；当型号很大时，只需对关键部分如磁轭等部位进行屏蔽即可。
*对于极低场的要求，通常采用3层屏蔽的方式，其中外层屏蔽用高磁导率材料，在内外屏蔽层间是Cu层。在Cu层上通以强的交流电流可对内屏蔽层消磁，同时Cu层还可以屏蔽静磁场的干扰。
*对于磁屏蔽结构，在材料厚度允许的时候可采用搭接点焊，交接尺寸至少3/8″。
在直径发生变化或结构拐角的地方，应采用氦弧焊。
使用片状材料的要点：在屏蔽小元件时，刚性结构加工应用都不方便，这时片状材料是一个很好的选择，但要注意以下事项：
*为减少磁散射发生，结构中应避免出现 尖锐的拐角；如果结构上需要开孔或缝，则应力求其边角采用圆弧形式。
*当屏蔽圆柱形物体时，每一层的搭接尺寸不少于3/4″，而且第一层的接口位于180°的位置，则下一层的接口位于90°的位置，再下一层又位于180°的位置，如此等等。
*为了提高屏蔽效果，每两层屏蔽间保留3-4倍于薄片厚度的空间。
*因为薄片材料具有极高的磁导率，因此使用中应避免连续螺旋状卷绕它，否则将有可能在屏蔽体中产生相当于磁极的结构。
*当在薄片材料上钻孔时，应确保是在正确的加工片状金属的条件下进行，而不是在普通的金属加工条件下操作，因为普通的操作方式会产生螺丝起子效应导致薄片发生弯曲，从而减小材料的磁导率，导致屏蔽效果的降低。
。收起
