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半导体掩模材料
过去的实验中采用光刻胶和SiO等,christian louboutin pas cher。移相掩模的主要课题如下。①移相器方案设计的最佳化和高速化②移相器膜厚控制和均匀性的保证③缺陷检查、修正④耐辐射性的改进X射线掩模材料在以10埃左右的软X射线为复印媒体的X射线光刻中，一般采用X射线掩模在轻元素成分的薄膜上形成等倍尺寸的重金属图形。 薄膜基板材料采用SiNx、SiC和pp“一si等；图形材料采用Au、W、Ta等。近几年通过以同步加速器轨道放射光(SR)为光源的X射线曝光实验，已经证明：在N、SiNx等掩模基板材料中，对可见光的透明度下降，(BN时)，产生应力，造成辐射...全部
半导体掩模材料
过去的实验中采用光刻胶和SiO等,christian louboutin pas cher。移相掩模的主要课题如下。①移相器方案设计的最佳化和高速化②移相器膜厚控制和均匀性的保证③缺陷检查、修正④耐辐射性的改进X射线掩模材料在以10埃左右的软X射线为复印媒体的X射线光刻中，一般采用X射线掩模在轻元素成分的薄膜上形成等倍尺寸的重金属图形。
薄膜基板材料采用SiNx、SiC和pp“一si等；图形材料采用Au、W、Ta等。近几年通过以同步加速器轨道放射光(SR)为光源的X射线曝光实验，已经证明：在N、SiNx等掩模基板材料中，对可见光的透明度下降，(BN时)，产生应力，造成辐射劣化。
上述X射线辐射损伤的主要原因可能是由X射线辐射而产生的高能2次电子引起了彩心和弗伦克尔对的生成并且使膜中所含的氢原子脱离，根据定性分析可以认为，禁带宽度窄的材料具有良好的耐X射线性能(因为电子向导带迁移使能量放出，从而出现生成缺陷的相互反应)。
其结果，最近Sic和Si作为耐X射线性能良好的掩模基板受到人们的关注。对X射线掩模基板的性能要求，首先是对软X射线和可见光的透明度，另外还有应力控制、平滑性、耐化学腐蚀性、机械强度、成膜容易和工艺性等，因此,tory burch outlet，希望对上述性能优异的SiNx膜进行更加详细的耐X射线性能鉴定。
。在等倍复印方式的X射线光刻中，使复印媒体的软X射线在重金属图形中衰减，获得对比度。一般来说，还要考虑掩模基板和感光胶的吸收作用，采用约10埃左右的软X射线,uggs australia nederland。
这时所需的掩模图形膜厚约0．6F,m至0．8m。所以，若将复印图形的最小线宽定为0．2g,m，则掩模图形的线条断面纵横尺寸比为3～4。为了形成这样的重金属图形，必须具有把原来的电子束曝光装置绘图精度再提高一个数量级的超高精度曝光装置,uggs online，同时还必须具有接近效应补偿等曝光技术以及完全没有侧向腐蚀的重金属干腐蚀技术等。
另外，为了减小掩模应力，还必须具有超低应力(<1×10。达因／cin)重金属薄膜形成技术。为了克服上述等倍X射线掩模制造的困难，近儿年正在研究缩小X射线刻。图8表示最近发表的缩小X射线光刻用掩模模型断面图,ghd gl?tteisen。
为了抛高直入射所产生的X射线反射率，在?5‘研磨得非常光滑的硅基板表面上以二分之一波长的间距形成多层Mo和si的薄膜。在其表面．上利用能很好吸收，x射线的重金属薄膜(Au)来形成所需图形、从这种x射线掩模上反射的x射线，利用球面多层膜反射镜以步进扫描方式(例如以5：1的速度比对掩模和晶片进行扫描)进行缩小投影曝光。
图3缩小x射线光刻掩模模型断面因为了提高掩模和反射镜所带来的x射线反射率，各种基板表面的研磨和多层膜的膜厚控，制，要求达到埃数量级的精度。如何提高精度是技术的关键。这些要求随着波长的缩短而逐渐更加严格，目前可以采用大约45埃以上的软X射线。
，结语由于基板材料、遮光膜形成、图形绘制和腐蚀等主要技术的进步，使掩模技术等获得了稳步的发展。今后为了向超L$1方向发展，必须采取以下措施t①开发超高精度图形绘制(电子束曝光装置)装置和曝光技术。
?②采用干腐蚀工艺。③提高长度测量、缺陷检查、修正技术的精度和速度。④通过工艺自动化，提高可控制性和重复性。⑤进一步提高掩膜基膜的质量。‘⑥进行综合工艺超净化。x射线刻蚀技术是继光学方式之后的大有希望的刻蚀技术，其能否实际应用的关键问题是确定镌模制作技术。
缩小X射线复印方式，对绘图精度的要求可以降低，但另一方面必须并发多层膜掩模和多层膜缩小反射镜。目前的情况是，除等倍复印方式外其他领域存在一定的难题。光刻技术目前己发展到了极限程度，今后必须以最大的努力去争取逐步解决存在的问题。
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