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2020-09-30 15:45:59
TH-快充整流桥相比传统充电器的优势是体积小。氮化材料本身优异的性能，使得做出来的氮化比传统硅基IGBT/MOSFET等...[展开]
TH-快充整流桥相比传统充电器的优势是体积小。氮化材料本身优异的性能，使得做出来的氮化比传统硅基IGBT/MOSFET等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。此外由于使用氮化芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。[收起]
