内存升级的变化有哪些呢?
外观变化: 一直一来,内存的金手指都是直线型的,而DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状,在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,确保信号传输稳定,同时中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存,也可以解决DDR3内存难以拔出和难以插入的情况。
另外,金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0。85mm。 频率和带宽提升巨大 DDR4最重要的变化当然是提高频率和带宽。在D...全部
外观变化: 一直一来,内存的金手指都是直线型的,而DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状,在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,确保信号传输稳定,同时中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存,也可以解决DDR3内存难以拔出和难以插入的情况。
另外,金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0。85mm。
频率和带宽提升巨大 DDR4最重要的变化当然是提高频率和带宽。在DDR3时代传输速度最高到2133MHz不等;而DDR4的传输速度从2133MHz起,并且可以达到4266MHz。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51。
2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。更低功耗更低电压 DDR4内存采用了温度补偿自刷新(主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、数据总线倒置(用于降低VDDQ电流,降低切换操作)等新技术。
这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。目前DDR4使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1。5V降低至DDR4的1。2V。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下,DDR4的功耗表现将是非常出色的。
容量剧增最高可达128GB 3DS(3-Dimensional Stack,三维堆叠)技术是DDR4内存中最关键的技术之一,它用来增大单颗芯片的容量。在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到DDR3产品的8倍之多。收起