台式机内存条性能！两根4G内存，一根1333一根1600比两根4G内存，全是1600性能差多少？
1。适用类型根据内存条所应用的主机不同，内存产品也各自不同的特点。台式机内存是DIY市场内最为普遍的内存，价格也相对便宜。笔记本内存则对尺寸、稳定性、散热性方面有一定的要求，价格要高于台式机内存。 而应用于服务器的内存则对稳定性以及内存纠错功能要求严格，同样稳定性也是着重强调的。笔记本内存就是应用于笔记本电脑的内存产品，笔记本内存只是使用的环境与台式机内存不同，在工作原理方面并没有什么区别。 只是因为笔记本电脑对内存的稳定性、体积、散热性方面的需求，笔记本内存在这几方面要优于台式机内存，价格方面也要高于台式机内存。 笔记本诞生于台式机的486年代，在那个时代的笔记本电脑，所采用的内存...全部
1。适用类型根据内存条所应用的主机不同，内存产品也各自不同的特点。台式机内存是DIY市场内最为普遍的内存，价格也相对便宜。笔记本内存则对尺寸、稳定性、散热性方面有一定的要求，价格要高于台式机内存。
而应用于服务器的内存则对稳定性以及内存纠错功能要求严格，同样稳定性也是着重强调的。笔记本内存就是应用于笔记本电脑的内存产品，笔记本内存只是使用的环境与台式机内存不同，在工作原理方面并没有什么区别。
只是因为笔记本电脑对内存的稳定性、体积、散热性方面的需求，笔记本内存在这几方面要优于台式机内存，价格方面也要高于台式机内存。 笔记本诞生于台式机的486年代，在那个时代的笔记本电脑，所采用的内存各不相同，各种品牌的机型使用的内存千奇百怪，甚至同一机型的不同批次也有不同的内存，规格极其复杂，有的机器甚至使用PCMICA闪存卡来做内存。
进入到台式机的586时代，笔记本厂商开始推广72针的SO DIMM标准笔记本内存，而市场上还同时存在着多种规格的笔记本内存，诸如：72针5伏的FPM；72针5伏的EDO；72针3。3伏的FPM；72针3。
3伏的EDO。此几种类型的笔记本内存都已成为“古董”级的宝贝，早已在市场内消失了。在进入到“奔腾”时代，144针的3。3伏的EDO标准笔记本内存。在往后随着台式机内存中SDRAM的普及，笔记本内存也出现了144针的SDRAM。
现在DDR的笔记本内存也在市面中较为普遍了，而在一些轻薄笔记本内，还有些机型使用与普通机型不同的Micro DIMM接口内存。 对于多数的笔记本电脑都并没有配备单独的显存，而是采用内存共享的形式，内存要同时负担内存和显存的存储作用，因此内存对于笔记本电脑性能的影响很大。
服务器是企业信息系统的核心，因此对内存的可靠性非常敏感。服务器上运行着企业的关键业务，内存错误可能造成服务器错误并使数据永久丢失。因此服务器内存在可靠性方面的要求很高，所以服务器内存大多都带有Buffer（缓存器），Register（寄存器），ECC（错误纠正代码），以保证把错误发生可能性降到最低。
服务器内存具有普通PC内存所不具备的高性能、高兼容性和高可靠性。2。主频内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。
内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前较为主流的内存频率室333MHz和400MHz的DDR内存，以及533MHz和667MHz的DDR2内存。
大家知道，计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来。晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。
而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的。DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍；而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。
例如DDR 200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是400/533/667/800MHz。
内存异步工作模式包含多种意义，在广义上凡是内存工作频率与CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。首先，最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中，可以使内存工作在比CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是简单相差33MHz)，从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。
其次，在正常的工作模式(CPU不超频)下，目前不少主板芯片组也支持内存异步工作模式，例如Intel 910GL芯片组，仅仅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外频，但却可以搭配工作频率为133MHz的DDR 266、工作频率为166MHz的DDR 333和工作频率为200MHz的DDR 400正常工作(注意此时其CPU外频133MHz与DDR 400的工作频率200MHz已经相差66MHz了)，只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了。
再次，在CPU超频的情况下，为了不使内存拖CPU超频能力的后腿，此时可以调低内存的工作频率以便于超频，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超频，不少产品的外频都可以轻松超上300MHz，而此如果在内存同步的工作模式下，此时内存的等效频率将高达DDR 600，这显然是不可能的，为了顺利超上300MHz外频，我们可以在超频前在主板BIOS中把内存设置为DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外频之后，前者也不过才DDR 500(某些极品内存可以达到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的标准频率)，由此可见，正确设置内存异步模式有助于超频成功。
目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能。3。传输类型传输类型指内存所采用的内存类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。
目前市场中主要有的内存类型有SDRAM、RDRAM、DDR和DDR2四种。其中DDR和DDR2内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。
4。接口类型接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的，金手指上的导电触片也习惯称为针脚数（Pin）。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。
对应于内存所采用的不同的针脚数，内存插槽类型也各不相同。目前台式机系统主要有SIMM、DIMM和RIMM三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在SIMM和DIMM插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。
金手指 金手指（conNECting finger）是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。
金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。不过因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替，从上个世纪90年代开始锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。
内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换，是内存的输出输入端口，因此其制作工艺对于内存连接显得相当重要。5。内存插槽 最初的计算机系统通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，DIP芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。
DIP芯片有个最大的问题就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。
最终导致接触不好，产生内存错误。 早期还有另外一种方法是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了DIP芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板，此种方法付出的代价较大，也极为不方便。
对于内存存储器，大多数现代的系统都已采用单列直插内存模块（Single Inline Memory Module，SIMM）或双列直插内存模块（Dual Inline Memory Module，DIMM）来替代单个内存芯片。
早期的EDO和SDRAM内存，使用过SIMM和DIMM两种插槽，但从SDRAM开始，就以DIMM插槽为主，而到了DDR和DDR2时代，SIMM插槽已经很少见了。下边具体的说一下几种常见的内存插槽。
6。容量内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数。内存容量以MB作为单位，可以简写为M。内存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，一般而言，内存容量越大越有利于系统的运行。
目前台式机中主流采用的内存容量为256MB或512MB，64MB、128MB的内存已较少采用。 系统对内存的识别是以Byte（字节）为单位，每个字节由8位二进制数组成，即8bit（比特，也称“位”）。
按照计算机的二进制方式，1Byte=8bit；1KB=1024Byte；1MB=1024KB；1GB=1024MB；1TB=1024GB。 系统中内存的数量等于插在主板内存插槽上所有内存条容量的总和，内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定。
不同主板芯片组可以支持的容量不同，比如Inlel的810和815系列芯片组最高支持512MB内存，多余的部分无法识别。目前多数芯片组可以支持到2GB以上的内存，主流的可以支持到4GB，更高的可以到16GB。
此外主板内存插槽的数量也会对内存容量造成限制，比如使用128MB一条的内存，主板由两个内存插槽，最高可以使用256MB内存。因此在选择内存时要考虑主板内存插槽数量，并且可能需要考虑将来有升级的余地。
内存电压 内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。SDRAM内存一般工作电压都在3。3伏左右，上下浮动额度不超过0。3伏；DDR SDRAM内存一般工作电压都在2。
5伏左右，上下浮动额度不超过0。2伏；而DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在1。8V左右。具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了，但都会遵循SDRAM内存3。3伏、DDR SDRAM内存2。
5伏、DDR2 SDRAM内存1。8伏的基本要求，在允许的范围内浮动。略微提高内存电压，有利于内存超频，但是同时发热量大大增加，因此有损坏硬件的风险。7。颗粒封装 颗粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。
空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。 随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。
芯片的封装技术多种多样，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，种类不下三十种，经历了从DIP、TSOP到BGA的发展历程。芯片的封装技术已经历了几代的变革，性能日益先进，芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便。
8,传输标准内存是计算机内部最为关键的部件之一，其有很严格的制造要求。而其中的传输标准则代表着对内存速度方面的标准。不同类型的内存，无论是SDRAM、DDR SDRAM，还是RDRAM都有不同的规格，每种规格的内存在速度上是各不相同的。
传输标准是内存的规范，只有完全符合该规范才能说该内存采用了此传输标准。比如说传输标准PC3200内存，代表着此内存为工作频率200MHz，等效频率为400MHz的DDR内存，也就是常说的DDR400。
传输标准术购买内存的首要选择条件之一，它代表着该内存的速度。目前市场中所有的内存传输标准有SDRAM的PC100、PC133；DDR SDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700；RDRAM的PC600、PC800和PC1066等。
9。CL设置内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。
因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。 在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。
CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。 上面只是给大家建立一个基本的CL概念，而实际上内存延迟的基本因素绝对不止这些。
内存延迟时间有个专门的术语叫“Latency”。要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。
内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个RAS信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来CAS信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。
在RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期就是RAS-to-CAS延迟时间。在CAS信号被执行之后同样也需要几个执行周期。此执行周期在使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期；而DDR RAM则是4到5个周期。
在DDR中，真正的CAS延迟时间则是2到2。5个执行周期。RAS-to-CAS的时间则视技术而定，大约是5到7个周期，这也是延迟的基本因素。 CL设置较低的内存具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。
内存总的延迟时间有一个计算公式，总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数 存取时间（tAC）。首先来了解一下存取时间（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的缩写，是指最大CAS延迟时的最大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念，虽然都是以纳秒为单位。
存取时间（tAC）代表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。 举个例子来计算一下总延迟时间，比如一条DDR333内存其存取时间为6ns，其内存时钟周期为6ns（DDR内存时钟周期＝1X2/内存频率，DDR333内存频率为333，则可计算出其时钟周期为6ns）。
我们在主板的BIOS中将其CL设置为2。5，则总的延迟时间＝6ns X2。5＋6ns＝21ns，而如果CL设置为2，那么总的延迟时间＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就减少了3ns的时间。 从总的延迟时间来看，CL值的大小起到了很关键的作用。
所以对系统要求高和喜欢超频的用户通常喜欢购买CL值较低的内存。目前各内存颗粒厂商除了从提高内存时钟频率来提高DDR的性能之外，已经考虑通过更进一步的降低CAS延迟时间来提高内存性能。不同类型内存的典型CL值并不相同，例如目前典型DDR的CL值为2。
5或者2，而大部分DDR2 533的延迟参数都是4或者5，少量高端DDR2的CL值可以达到3。 不过，并不是说CL值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，新一代处理器的高速缓存较有效率，这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。
再者，列的数据会比较常被存取，所以RAS-to-CAS的发生几率也大，读取的时间也会增多。最后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形下，相邻的内存数据会一次被读取出来，CAS延迟时间只会发生一次。
选择购买内存时，最好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2。5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2。5状态，造成资源浪费。
收起
