DDRII667的“延迟时间” CAS 、CL
②“延迟时间”可能相同、也可能不同。
内存的CAS延迟时间和存取时间之间有着密切的联系。首先解释一下什么是内存的CAS延迟时间。所谓CAS延迟时间,就是指内存纵向地址脉冲的反应时间。 CAS延迟时间是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。
在Intel公司的PC100内存技术白皮书中指出:“符合PC100标准的内存芯片应该以CAS Latency(以下简称CL)= 2的情况稳定工作在100MHZ的频率下。 ”CL=2所表示的意义是此时内存读取数据的延迟时间是两个时钟周期当CL=3时。
内存读取数据的延迟时间就应该是三个时钟周期,因此,这“2”与“3”之间的差别就不仅仅局限于“1”了,而是
1个时钟周期。工作在相同频率下的同种内存,将CL设置为2会得到比3 更优秀的性能(当然你的内存必须支持CL=2的模式)。
为了使主板正确地为内存设定CAS延迟时间,内存生产厂商都将其内存在不同工作频率下所推荐的 CAS延迟时间记录在了内存PCB板上的一块EEPROM上,这块芯片就是我们所说的SPD。
当系统开机时,主板BIOS会自动检测SPD中的信息并最终确定是以CL=2还是CL=3来运行。
由此可以解释为什么你的CPU-Z把DDR2辨认为DD3,就是因为你的内存 CL 到达了DDR3的标准周期了,但是这里要提醒你一个负作用的可能,过快的CL周期可能导致你内存数据读取正确率的下降,也就是我们说的系统不稳定,或者游戏出现错误等情况,因此并不推荐超的太多。
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这是很正常的开机上电自检!没必要紧张!