闸流体效应指的是什么？

缘由:外延资料，芯片制造，器材封装，测验通常5V下反向漏电流为10UA，也能够固定反向电流下测验反向电压。
不一样类型的LED反向特性相差大:普绿，普黄芯片反向击穿可到达一百多伏，而普芯片则在十几二十伏之间。


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发生闸流体表象缘由是发光资料外延片成长时呈现了反向夹层，有此表象的LED在IF=20MA时测验的正向压降有躲藏性，在运用进程是出于南北极电压不行大，体现为不亮，可用测验信息仪器从晶体管图示仪测验曲线，也能够经过小电流IF=10UA下的正向压降来发现，小电流下的正向压降显着偏大，则能够是该疑问所形成的。
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是发光二极管在正常电压下无法导通，当电压加高到必定程度，电流发生骤变。
外延形成的反向漏电首要由PN结内部布局缺点所形成的，芯片制造进程中旁边面腐蚀不行或有银胶丝沾附在测面，严禁用有机溶液分配银胶。以避免银胶经过毛细表象爬到结区。
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