模电中关于三极管的问题共射级方法电路，
各种有关电子的书上开头都有一个关于三极管各极电流的构成的比较详细的讲解。
1、（以NPN为例）发射区有大量的自由电子，只要发射结正偏，就能帮助发射区的自由电子大量进入基区，以这些电子构成了发射极电流；
2、基区（P区）中虽然空穴是多子，但数量很少，由发射区来的大量的自由电子在基区复合的很少，大多数能穿过很薄的基区到达集电结边缘；
3、集电结工作在较大的反向电压下，但是这个反向电压只能使此结两边的少子产生漂移运动，所以这个电压的增大对Ic的变化影响很小（这就是对你的提问的解答！），这个反向电压能对由发射区来的、穿过基区的自由电子起较大作用，帮助这些自由电子进入集电区，形成集电极电流，所以...全部
各种有关电子的书上开头都有一个关于三极管各极电流的构成的比较详细的讲解。
1、（以NPN为例）发射区有大量的自由电子，只要发射结正偏，就能帮助发射区的自由电子大量进入基区，以这些电子构成了发射极电流；
2、基区（P区）中虽然空穴是多子，但数量很少，由发射区来的大量的自由电子在基区复合的很少，大多数能穿过很薄的基区到达集电结边缘；
3、集电结工作在较大的反向电压下，但是这个反向电压只能使此结两边的少子产生漂移运动，所以这个电压的增大对Ic的变化影响很小（这就是对你的提问的解答！），这个反向电压能对由发射区来的、穿过基区的自由电子起较大作用，帮助这些自由电子进入集电区，形成集电极电流，所以，集电极电流的大小主要由发射区过来的自由电子数决定，也是就是由发射结电压决定。收起
