76458次阅读
答： 无机半导体的禁带宽度从0.1～2.0eV，ππ共轭聚合物的能带隙大致在1.4～4.2eV,...
答： 你好，我来回答你的问题吧，我就是搞这个的。影响太阳能电池转换效率的因素很多，简单的归纳下吧...
答： 价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度
答： 禁带宽度（Bandgap）[1]符号为Eg;导带的最低能级和价带的最高能级之间的能
答： 禁带宽度物理意义编辑禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，...
答： 因此，禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需...
答： GaN、SiC等所谓宽禁带半导体的禁带宽度更要大得多，因为其价键的极性更强
答： 如果由许多孤立原子结合而成为晶体的时候，一条原子能级就简单地对应于一个能带，那么当温度升高...
答： 半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为价电子），不能够导电，即不是载流子
答： 不同的制备方法得到的二氧化钛不同晶形是有差别的，锐钛矿3.2eV,而金红石的是3.0eV
答： 禁带宽度（Bandgap）符号为Eg;导带的最低能级和价带的最高能级之间的能
答： 所以，当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的负的温度系数
答： ：室温下（300K），锗的禁带宽度约为0.66ev；硅的禁带宽度约为1.12ev；砷化镓的...
答： 半导体的禁带宽度较小，满带中的电子只需较小能量就能激发到空带中，宏观上表现为有较大的电导率
答： “禁带”是怎样的测量对象？
答： 不过，在数百度的高温下也同样呈现出半导体的特性，因此可用来制作工作温度高达500℃以上的晶...
答： 中文名禁带宽度外文名Bandgap概述禁带宽度（Bandgap）基本信息一个能带宽度物理意...
答： （3）半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生变化，这是半导体器...
答： 一般材料可分为绝缘体与导体，主要是因为物质内部电子分布在不同的能带(energy band...
答： 但是，对于常用的Si、Ge和GaAs等半导体，在由原子结合而成为晶体的时候，价键将要产生所...
答： Si的原子序数比Ge的小，则Si的价电子束缚得较紧，所以Si的禁带宽度比Ge的要大一些
答： 禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于B...
答： A-器件使用材料的禁带宽度Eg0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg1.0~1.3...