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答： 双极型晶体管BVebo是集电极开路时发射极基极间的反向击穿电压，这是发射结所允许加的最高反...
答： 双极型光晶体管通常增益很高，但速度不太快，对于GaAsGaAlAs，放大系数可大于1000...
答： 双极型晶体管一般为20～200nA，场效应管一般小于1nA
答： 晶体管中的所指的晶体是硅和锗，硅和锗在化学元素表中和钾、钠一样是晶体状的金属元素，纯净硅和...
答： 图1双极面结型晶体管两个类型：NPN和PNPNPN类型包含两个n型区域和一个分隔它们的p型...
答： 同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大
答： 可表示为：双极型晶体管输出特性可分为三个区★截止区：发射结和集电结均为反向偏置
答： 双极型晶体管影响编辑双极型晶体管BVcbo是发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压，这是...
答： 双极型晶体管影响编辑双极型晶体管BVcbo是发射极开路时集电极基极间的反向击穿电压，这是集...
答： ◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大...
答： 双极性晶体管NPN型NPN型晶体管是两种类型双极性晶体管的其中一种，由两层N型掺杂区域和介...
答： 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管
答： 双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistorBJT）又称为半导体三极...
答： 温度对的影响：是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的，当温度升高时，热运动加剧，更多...
答： 80年代后期，以绝缘栅极双极型晶体管（IGBT可看作MOSFET和BJT的复合）为代表的复...
答： 双极性晶体管（英语：bipolartransistor），全称双极性结型晶体管（bipol...
答： 然而，由于基极电荷并不能轻松地在基极引脚处观察，因此，在实际的电路设计、分析中，电流、电压...
答： 双极型晶体管晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就...
答： 双极型晶体管一般为80～500nA，场效应管一般为1nA
答： 当电源电压为±15V时，静态功耗双极型晶体管一般为50～100mW，场效应管一般为1mW
答： 晶体管是由三个半导体层组成的电子元件，有称三极管。每个半导体层都各有一个电气接头。根据半导...
答： 起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管
答： 中文名双极型晶体管外文名BipolarJunctionTransistor实质电流控制器件...
答： 在大多数电子设备中，小而便宜的晶体管取代了电子管的地位。第一个晶 体管是在1947年由3位...
答： 1947年12月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一 种点接触型...
答： 半导体中电子和空穴两种载流子都 起导电作用的晶体管。有两种基本结构： PNP型和NPN型。...
答： 它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体...
答： 双极型晶体管BVceo这是共发射极组态的击穿电压，即基极开路时、集电极与发射极之间的击穿电...
答： ◆伏安特性最低的那条线为IB0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO
答： 双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计...
答： 由于在基极开路时，集电结是反偏、发射结是正偏的，即BJT处于放大状态