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合成石墨烯的方法谁了解?

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2019-07-02

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最普通的是微机械分离法,直接将石墨烯薄片从较大的晶体上剪裁下来。 典型制备方法是用另外一种材料膨化或者引入缺陷的热解石墨进行摩擦,体相石墨的表面会产生絮片状的晶体,在这些絮片状的晶体中含有单层的石墨烯。   但缺点是此法是利用摩擦石墨表面获得的薄片来筛选出单层的石墨烯薄片,其尺寸不易控制,无法可靠地制造长度足供应用的石墨薄片样本。

2019-07-02

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    沉积生长法 沉积生长法通过化学气相沉积在绝缘表面(例如SiC)或 金属表面(例如Ni)生长石墨烯,是制备高质量石墨烯薄膜的 重要手段。有研究者通过对Si的热解吸附,实现了在以si终 止的单晶6H—SiC的(0001)面上外延生长石墨烯膜或通过真 空石墨化在单晶SiC(0001)表面外延生长石墨烯。
    Hannon 等[11]在SiC表面上外延生长了石墨烯膜,但是由于SiC在高 温下易发生表面重构,导致表面结构复杂,难以获得大面积、 厚度均一的石墨烯膜。Emtsev等[12]在氩气中通过前位石墨 化在si终止的SiC(0001)表面制备出了单层石墨烯薄膜,薄 膜的厚度和质量都有所提高。
     近年来,以金属单晶或薄膜为衬底外延生长石墨烯膜的 研究取得很大进展。Sutter等[13]在Ru(0001)表面逐层控制地外延生长了大面积的石墨烯膜,制备过程中,首层石墨烯与 金属作用强烈,而从第二层起就可以保持石墨烯固有的电子 结构和性质。
  Coraux等[14]利用低压气相沉积法在Ir(111)表 面生长了单层石墨烯膜。  采用类似的方法,在Cu箔表面也能 制备出大面积、高质量石墨烯膜,而且主要为单层石墨烯。
  而 韩国科学家则在多晶Ni薄膜上外延生长了石墨烯膜[1…,他们 先在si-sio§衬底上生长出300nm厚的Ni,然后在1000(C的 甲烷气氛中加热后迅速降至室温,生长出6至10层的石墨 烯。
    他们还借助图形化的方法制备出了图形化的石墨烯。所 得石墨烯膜具有高强度和高硬度,透光率达到80%,尺寸达到 厘米级,为低成本生产大面积的柔性石墨烯电子产品提供了 可能。
  

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