内存容量NAND 2042M是什么意思
NAND技术NAND Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技术Flash Memory。这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储,主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质,并正成为闪速磁盘技术的核心。 NAND技术Flash Memory具有以下特点:(1) 以页为单位进行读和编程操作,1页为256或512B(字节);以块为单位进行擦除操作,1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间是2ms;而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。 (2) 数据、地址采用同一总线,实现串行读...全部
NAND技术NAND Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技术Flash Memory。这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储,主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质,并正成为闪速磁盘技术的核心。
NAND技术Flash Memory具有以下特点:(1) 以页为单位进行读和编程操作,1页为256或512B(字节);以块为单位进行擦除操作,1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间是2ms;而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。
(2) 数据、地址采用同一总线,实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。(3) 芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bit cost)最低的固态存储器,将很快突破每兆字节1美元的价格限制。
(4) 芯片包含有失效块,其数目最大可达到3~35块(取决于存储器密度)。失效块不会影响有效块的性能,但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。 Samsung公司在1999年底开发出世界上第一颗1Gb NAND技术闪速存储器。
据称这种Flash Memory可以存储560张高分辨率的照片或32首CD质量的歌曲,将成为下一代便携式信息产品的理想媒介。Samsung采用了许多DRAM的工艺技术,包括首次采用0。15μm的制造工艺来生产这颗Flash。
已经批量生产的K9K1208UOM采用018μm工艺,存储容量为512Mb。2042M是说明你机子的内存是2G。收起