内存1333和1600有什么区别？
1，工作模式区别 两都有区别，现在很多评分软件来测评，发现这两种工作模式性能得分都一样，就算把它们调到1000，评分还是一样。
2，CL延迟区别 CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。 一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了 更优秀的品质。 因此在选购品...全部
1，工作模式区别 两都有区别，现在很多评分软件来测评，发现这两种工作模式性能得分都一样，就算把它们调到1000，评分还是一样。
2，CL延迟区别 CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。
一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了 更优秀的品质。
因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。还有另的诠释：内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。
3，外观对比 威刚4GB DDR3-1600和4GB DDR3-1333内存的正面对比 威刚4GB DDR3-1600和4GB DDR3-1333内存的背面对比 威刚4GB DDR3-1600和4GB DDR3-1333内存的正面对比 威刚4GB DDR3-1600和4GB DDR3-1333内存的背面对比 金士顿4GB DDR3-1600内存的正反面特写 我们通过对比发现，至少有3款品牌的4GB DDR3-1333和4GB DDR3-1600内存的板型外观完全一致。
通过对比我们可以发现，从内存的PCB板、相关电气元件的数量和摆放位置、内存芯片的大小等等，上叙三个品牌的4GB DDR3-1600和4GB DDR3-1333内存都是完全一样的。收起
