深圳市盟科电子科技有限公司在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只...[展开]
深圳市盟科电子科技有限公司在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和。[收起]
我们要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB大于等于IBS。即Uce<UceQ=0.3V就进入了饱和。
三极管在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断三极管临界饱和的条件,根据此公式算出Ib的值,实际上应该取该值数倍以上,...[展开]
三极管在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断三极管临界饱和的条件,根据此公式算出Ib的值,实际上应该取该值数倍以上,才能达到真正的饱和,倍数越大,饱和程度越深。三极管在饱和状态下,Ic与Ib及Uce有关,查下Ic与Ib特性曲线求得。[收起]
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