控制器通过什么器件进行功率输出？

什么是VMOS管、DMOS管、T

什么是 MOSFET “MOSFET” 是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，译成中文是 “ 金属氧化物半导体场效应管 ” 。 它是由金属、氧化物 (SiO2 或 SiN) 及半导体三种材料制成的器件。所谓功率 MOSFET(Power MOSFET) 是指它能输出较大的工作电流 ( 几安到几十安 ) ，用于功率输出级的器件。 MOSFET 的结构 图 1 是典型平面 N 沟道增强型 MOSFET 的剖面图。它用一块 P 型硅半导体材料作衬底 ( 图 la) ，在其面上扩散了两个 N 型区 ( 图 lb) ，再...全部

  什么是 MOSFET “MOSFET” 是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，译成中文是 “ 金属氧化物半导体场效应管 ” 。
  它是由金属、氧化物 (SiO2 或 SiN) 及半导体三种材料制成的器件。所谓功率 MOSFET(Power MOSFET) 是指它能输出较大的工作电流 ( 几安到几十安 ) ，用于功率输出级的器件。
   MOSFET 的结构 图 1 是典型平面 N 沟道增强型 MOSFET 的剖面图。它用一块 P 型硅半导体材料作衬底 ( 图 la) ，在其面上扩散了两个 N 型区 ( 图 lb) ，再在上面覆盖一层二氧化硅 (SiQ2) 绝缘层 ( 图 lc) ，最后在 N 区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极： G( 栅极 ) 、 S( 源极 ) 及 D( 漏极 ) ，如图 1d 所示。
   从图 1 中可以看出栅极 G 与漏极 D 及源极 S 是绝缘的， D 与 S 之间有两个 PN 结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。 图 1 是 N 沟道增强型 MOSFET 的基本结构图。
  为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有不同的结构及工艺，构成所谓 VMOS 、 DMOS 、 TMOS 等结构。图 2 是一种 N 沟道增强型功率 MOSFET 的结构图。
  虽然有不同的结构，但其工作原理是相同的，这里就不一一介绍了。 请看:都是MOS管,只是工艺和参数不同。 。收起