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答: 双极型晶体管BVebo是集电极开路时发射极基极间的反向击穿电压,这是发射结所允许加的最高反...
答: 双极型光晶体管通常增益很高,但速度不太快,对于GaAsGaAlAs,放大系数可大于1000...
答: 双极型晶体管一般为20~200nA,场效应管一般小于1nA
答: 晶体管中的所指的晶体是硅和锗,硅和锗在化学元素表中和钾、钠一样是晶体状的金属元素,纯净硅和...
答: 图1双极面结型晶体管两个类型:NPN和PNPNPN类型包含两个n型区域和一个分隔它们的p型...
答: 同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大
答: 可表示为:双极型晶体管输出特性可分为三个区★截止区:发射结和集电结均为反向偏置
答: 双极型晶体管影响编辑双极型晶体管BVcbo是发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压,这是...
答: 双极型晶体管影响编辑双极型晶体管BVcbo是发射极开路时集电极基极间的反向击穿电压,这是集...
答: ◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小,反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小,间隔越大...
答: 双极性晶体管NPN型NPN型晶体管是两种类型双极性晶体管的其中一种,由两层N型掺杂区域和介...
答: 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管
答: 双极结型晶体管(BipolarJunctionTransistorBJT)又称为半导体三极...
答: 温度对的影响:是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的,当温度升高时,热运动加剧,更多...
答: 80年代后期,以绝缘栅极双极型晶体管(IGBT可看作MOSFET和BJT的复合)为代表的复...
答: 双极性晶体管(英语:bipolartransistor),全称双极性结型晶体管(bipol...
答: 然而,由于基极电荷并不能轻松地在基极引脚处观察,因此,在实际的电路设计、分析中,电流、电压...
答: 双极型晶体管晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就...
答: 双极型晶体管一般为80~500nA,场效应管一般为1nA
答: 当电源电压为±15V时,静态功耗双极型晶体管一般为50~100mW,场效应管一般为1mW
答: 晶体管是由三个半导体层组成的电子元件,有称三极管。每个半导体层都各有一个电气接头。根据半导...
答: 起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管
答: 中文名双极型晶体管外文名BipolarJunctionTransistor实质电流控制器件...
答: 在大多数电子设备中,小而便宜的晶体管取代了电子管的地位。第一个晶 体管是在1947年由3位...
答: 1947年12月,美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出一 种点接触型...
答: 半导体中电子和空穴两种载流子都 起导电作用的晶体管。有两种基本结构: PNP型和NPN型。...
答: 它是由两个PN结构成,其中一个PN结称为发射结,另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体...
答: 双极型晶体管BVceo这是共发射极组态的击穿电压,即基极开路时、集电极与发射极之间的击穿电...
答: ◆伏安特性最低的那条线为IB0,表示基极开路,IC很小,此时的IC就是穿透电流ICEO
答: 双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计...
答: 由于在基极开路时,集电结是反偏、发射结是正偏的,即BJT处于放大状态