有关人体静电电量

    ****我也会电人****

**人体带电主要有三种形式。

一是接触分离带电，即人在活动中衣服之间，与外界物质之间的摩擦，鞋与地面接触分离。

二是感应带电；

三是吸附带电，当人体在具有带电微粒空间活动时，由于带电微粒被人体所吸附，使人体带电。
    

非金属的带电序列是：
(+)玻璃、头发、尼龙、毛、丝绸、人造丝、奥纶、棉织品、纸、聚苯乙烯、聚酯、聚丙烯脂、硫、聚乙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯(—)。

需要说明的是，在同一静电序列中，前后两种物质紧密接触时，前者失去电子带正电，后者得到电子带负电。
     
 
**随着近年来广播电视事业的飞速发展，固态机大量普及，以及硬盘播出和办公自动化的广泛应用，越来越多的CMOS器件被应用，由于CMOS器件最怕静电，所以在机房中对静电的防范越来越重要。
   

人体静电是怎么产生的呢？人体静电有摩擦带电和感应带电两种。  人体带电后，静电会有一定的积累和抗散。人体的带电量 

  

式中： I-------单位时间起电量（带电速度） 

       R------人体对地电阻 

       C------人体对地电容 

人体带电电压U=           ，当t趋近∞时，人体带电电压最大值Um=IoR。
    人体对地的放电电流I=I    

影响人体带电的因素主要是:①在R、C一定的条件下，带电速率Io越大，人体的带电量越大，人体电位也越高。②在带电速率一定的条件下，人体对地电阻越大，人体带电量越大，人体电位越高。
  人体对地电阻主要受鞋袜、地面材料和环境湿度影响，相对湿度越大，人体电压越低。  如计算机房多采用空调、房间封闭、湿度低，加上地面使用地毯，人在地毯上行走所带电压可高达39kV。
  ③人体带电电压受衣着面料的影响，例如棉纱内衣与65%聚脂、35%棉纱制成的外衣摩擦，可使人体带上约14kV的电压。④人体带电电位与人体对地电容大体保持反比例关系，人体对地电容随人体生理体形、姿势、鞋袜和地面状况不同而不同，其中60%以上是大脚对地面的电容，40%是人身其他部分对地面的电容。
     

实践证明，人体各部位所带静电荷也是不均等的。一般是手腕的电位较高，所以当人手接触电子设备时会瞬间产生静电放电以及脉冲式噪声。对电子电路的干扰取决于脉冲幅度、宽度及脉冲能量。
  一般TTL电路翻转的脉冲能量大致为32x10 J，而人体静电放电时，其等效电容约150pF，等效电阻为330  ，当带静电l0kV时所含脉冲能量在7。  5 xl0 J，通过人体电阻放电时，放电脉冲宽度为22。
  5ns，瞬间功率很大。有时带电电压或能量虽不很大，但由于在极短时间内起作用，其瞬间能量密度也会对电路和器件产生干扰和危害。我们知道，CMOS电路最易因静电而损坏，它的耐压值约为100---150V。
  由此可见，带上万伏静电的人体接触电路对元件产生的危害是相当严重的。   

由于MOS、CMOS、PMOS电路输入阻抗特别高，所以，当并不太强的静电加在栅极上时，其电场强度将超过10 V/cm，甚至更高，如此强的电场强度极易损坏MOS电路。
  故而在使用MOS、CMOS、PMOS集成电路时，防范人体静电特别重要。其具体防范措施是:在测试、安装、焊接和调试时，使用的工作台及地板严禁铺垫高绝缘板材，应在工作台上铺放有可靠接地的细钢丝网或铜丝网，使用的仪器、工具(包括镊子、钳子)要严格接地，工作人员要用金属腕表带通过导线接地，并且穿棉质工作衣，不能穿化纤面料服装与MOS、CMOS、PMOS电路接触。
    存储时应加屏蔽包装或放入金属容器中，以防静电的破坏。 

静电成为MOS芯片的无形杀手，因此探测设备周围有无静电，对保障设备安全运行十分必要。下图所示为一个能探测泄放静电的实用装置，R和VT构成VT的基极偏置，R为VD的限流电阻。
  电路工作原理如下:接通电源后，如果感应片L的周围没有静电，则VT的漏源两极之间的电阻极大，VT因无偏流而截止，VD不发光。  如果感应片L周围有静电场存在，则VT漏源两极开始导通，静电电压越高，漏源之间电阻越小。
  VT获得偏流而导通，VD发光，且亮度随静电电压的高低而变化。与此同时，感应片L周围的静电通过VT泄放，随着泄放的进行，静电逐渐减弱，VD亮度渐暗，直至静电泄尽，VD熄灭，电路恢复为断态。  当感应片L周围静电聚集又达一定量时，再次重复上述过程。
  


**人体静电除工作原因带上之外，大多数都是由于摩擦或者天气干燥所形成的。
静电看不见又摸不着，附着于物体表面，在与其他物体互相作用时才会释放能量。
当感觉到电击时，人身上的静电电压已超过２０００伏；当看到放电火花时，身上的静电已经超过３０００伏，这时手指会有针刺般的痛感；当听到放电的“劈啪”声音时，身上的静电已高达７０００－８０００伏。
     
与大多数人相比，一些老年人或体弱者遭遇静电“袭击”时，会产生一种难言的不适感，有的甚至会感到酸麻、刺痛、震颤、心慌等感觉瞬间传遍全身。 

静电对人体健康造成的危害往往被人所忽视，而这种危害是多方面的。
  人们对自身产生的静电不以为然，然而衣物上的静电能吸附空气中尘埃所含的多种病毒、细菌和有害物质，影响到人的呼吸道，会带给呼吸系统疾病病人诸多不适，严重的甚至诱发气管炎和哮喘。  

医学专家认为，静电令人身体不适，还会引起头痛、失眠和烦躁不安等症状，甚至导致皮疹和心律失常，对神经衰弱者和精神病患者危害就更大。
  皮肤静电干扰可改变人体体表的正常电位差，影响心肌正常的电生理过程。

持久的静电会使血液的碱性升高，血钙减少，尿中钙排泄量增加，对于血钙水平低的病人十分不利。  尤其对有心血管系统疾病的老年人来说，静电更易使病情加重或诱发早搏。
  

综上所述，静电虽然无处不在，但对普通人并不会造成太大问题，但是，对于中老年人、慢性心脑血管病患者和亚健康人群具有较大的危害，需要在日常生活中加以注意。

你所提到的静电仪器，我估计它的工作原理是通过机器生成大量的带电离子，由于它们的电性正好与人体由于摩擦带上的静电电性相反，从而可以把摩擦

起电的电荷中和掉。
    应该是原理并不神秘，需者可用，平常人没必要购买。

静电是一种物质。低湿天气出现时，化学纤维质地的内衣、地毯、坐垫和墙纸等受到摩擦都能产生静电。另外，家用电器使用时亦会产生静电效应或外壳带上静电。
   
静电令人身体不适，还会引起头痛、失眠和烦躁不安等症状甚至导致皮疹和心律失常，对神经衰弱者和精神病人危害就更大。   


**如何消除危害人们健康的静电，下面方法简单易行，不妨一试： 

1．室内空气湿度低于30%时，有利于磨擦产生静电，若将温度提高到45%，静电就难产生了。
  因此，低湿天气出现时，不妨在家里洒些水，不便弄湿地板的地方，放置一两盆清水，同样可以达到增加室内空气湿度的目的。   
2．CRT工作，荧屏周围会产生静电微粒，这些微粒又大量吸附空中的漂尘，这些带电漂尘对人体及皮肤有不良影响。
  在此，CRT不能摆放在卧室。看完之后要洗脸、洗手。 
3．对老人、小孩、静电敏感者、查不出病因的心脏病人、神经衰弱和精神病患者等建议在冬季穿纯棉内衣、内裤，以减少静电对人的不良影响。   
4．勤洗澡、勤换衣服，能有效消除人体表面积聚的静电荷。
   
5．当头发无法梳理服贴时，将梳子子浸在水中，等静电消除之后，便可随意梳理了。 
6．赤足有利于体表积聚的静电释放。因此，休闲时，不要放过赤足的一切机会。

******如何控制人体静电（人体静电防护）？
人体是最普遍存在的静电危害源。
    对于静电来说，人体是导体，所以可以对人体采取接地的措施

1。使用防静电地面/ 防静电鞋/ 袜（静电从脚导到大地）
通过脚穿防静电性地面、地垫、地毯，人员穿上防静电鞋袜，形成组合接地。
  

2。佩戴防静电腕带并接地（静电从手导到大地）
通过手用以泄放人体的静电。  它由防静电松紧带、活动按扣、弹簧软线．保护电阻及插头或夹头组成。松紧带的内层用防静电纱线编织，外层用普通纱线编织。
  

上述两项措施都是实用而有效的，应视不同的场合选择使用。
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    　　在干燥的季节若穿上化纤衣服和绝缘鞋在绝缘的地面行走等活动，人体身上的静电可达几千伏甚至几万伏。若人体静电超过2－3kV,当人接触接地金属时则会产生静电电击，若静电电压很高，则会对人体心理和生理造成一定的影响。
  

　　除静电对人体电击外，研究表明，静电放电产生的电磁场强度很强，这种强电磁场作用时间短但其强度远比手机辐射的电磁场强，且放电的次数非常多，其对人体的作用是不可忽视的。  

　　而人体静电是否与癌症是否有联系，需进一步研究。
  但是人体长期遭受静电电击和这种强电磁辐射的作用对人体是不利的，所以应穿防静电服与防静电鞋，以及安装检测防静电服和防静电鞋效果的检测仪器与设备，在有条件时应安装静电检测报警装置。

　　日常生活中的一些小窍门可以将静电的危害减小到最低限度，最容易也最有效的途径就是保持生活环境的湿度。
    随着湿度的增加，环境中的静电被导走。所以，您在房间里撒些水或者养些花草，就能达到目的，当然，有蒸汽发生器就更好了。

　　还需要注意的就是尽量穿纯棉的衣服，化纤衣物既不舒服，又是静电危害的罪魁祸首，实在不可取。
    

　　生产现场易产生的静电电压

生产场合 静电电压 
湿度10~20% 湿度65~90% 

在地毯上走动时 35000V 1500V 
在乙烯树脂地板上走动时 12000V 250V 
手拿乙烯塑料袋装入器件时 7000V 600V 
在流水线工位接触聚酯塑袋时 20000V 1200V 
在操作工位与聚胺酯类接触时 18000V 1500V 

静电对部分电子器件的击穿电压

器件类型 EOS/ESD的最小敏感度
(以静电电压V表示) 
VMOS
MOSFET
砷化镓FET
EPROM
JFET
SAW(声表面波滤波器)
运算放大器
CMOS
肖特基二极管
SMD薄膜电阻器
双极型晶体管
射极耦合逻辑电路
可控硅
肖特基TTL
30~1800
100~200
100~300
100以上
140~7000
150~500
190~2500
250~3000
300~2500
300~3000
380~7800
500~1500
680~1000
100~2500 。
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