图中C2的C3串联是将有极电容变成无极电容来用，但我想知道串联后的总容量是多大?
还有，R4为什么要接VCC（音频输入信号的偏置电压）？
请分麻烦帮我分析一下整个电路的工程过程，最后分析到每一个元器件的作用，有计算公式的也请打上来，谢谢了！
上一张画错了，真抱歉。
如果图中数据正确R6为56k的话（Q1集电极先断开），这个电路工作10V以上，如果对于10V，R6压降就约为1。2V，Q2始终处于导通状态，继电器吸合。在开机时就是这个状态。功放有信号输出时，Q1导通造成Q2基极电压升高，威胁继电器的吸合，具体可以计算，（Q2基极电压低于-1。 6V时，继电器可以吸合），所以这个电路可能达不到原有目的。关键是各种参数的组合。
关于电源的表示：
1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。
2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应...全部
如果图中数据正确R6为56k的话（Q1集电极先断开），这个电路工作10V以上，如果对于10V，R6压降就约为1。2V，Q2始终处于导通状态，继电器吸合。在开机时就是这个状态。功放有信号输出时，Q1导通造成Q2基极电压升高，威胁继电器的吸合，具体可以计算，（Q2基极电压低于-1。
6V时，继电器可以吸合），所以这个电路可能达不到原有目的。关键是各种参数的组合。
关于电源的表示：
1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。
2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。
4、一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源
另外一种解释：
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。
下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就 为负了。
荐义选用芯片时一定要看清电气参数。
Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压。
Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源。 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上。
Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地。
Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压。
Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路。
电路中的解释：
单解：
VDD：电源电压（单极器件）；电源电压（4000系列数字电 路）；漏极电压（场效应管）
VCC：电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier)
VSS:：地或电源负极
VEE：负电压供电；场效应管的源极（S）
VPP：编程/擦除电压。
。收起
