合成石墨烯的方法谁了解?
沉积生长法 沉积生长法通过化学气相沉积在绝缘表面(例如SiC)或 金属表面(例如Ni)生长石墨烯,是制备高质量石墨烯薄膜的 重要手段。有研究者通过对Si的热解吸附,实现了在以si终 止的单晶6H—SiC的(0001)面上外延生长石墨烯膜或通过真 空石墨化在单晶SiC(0001)表面外延生长石墨烯。 Hannon 等[11]在SiC表面上外延生长了石墨烯膜,但是由于SiC在高 温下易发生表面重构,导致表面结构复杂,难以获得大面积、 厚度均一的石墨烯膜。Emtsev等[12]在氩气中通过前位石墨 化在si终止的SiC(0001)表面制备出了单层石墨烯薄膜,薄 膜的厚度和质量都有所提高。 ...全部
沉积生长法 沉积生长法通过化学气相沉积在绝缘表面(例如SiC)或 金属表面(例如Ni)生长石墨烯,是制备高质量石墨烯薄膜的 重要手段。有研究者通过对Si的热解吸附,实现了在以si终 止的单晶6H—SiC的(0001)面上外延生长石墨烯膜或通过真 空石墨化在单晶SiC(0001)表面外延生长石墨烯。
Hannon 等[11]在SiC表面上外延生长了石墨烯膜,但是由于SiC在高 温下易发生表面重构,导致表面结构复杂,难以获得大面积、 厚度均一的石墨烯膜。Emtsev等[12]在氩气中通过前位石墨 化在si终止的SiC(0001)表面制备出了单层石墨烯薄膜,薄 膜的厚度和质量都有所提高。
近年来,以金属单晶或薄膜为衬底外延生长石墨烯膜的 研究取得很大进展。Sutter等[13]在Ru(0001)表面逐层控制地外延生长了大面积的石墨烯膜,制备过程中,首层石墨烯与 金属作用强烈,而从第二层起就可以保持石墨烯固有的电子 结构和性质。
Coraux等[14]利用低压气相沉积法在Ir(111)表 面生长了单层石墨烯膜。采用类似的方法,在Cu箔表面也能 制备出大面积、高质量石墨烯膜,而且主要为单层石墨烯。而 韩国科学家则在多晶Ni薄膜上外延生长了石墨烯膜[1…,他们 先在si-sio§衬底上生长出300nm厚的Ni,然后在1000(C的 甲烷气氛中加热后迅速降至室温,生长出6至10层的石墨 烯。
他们还借助图形化的方法制备出了图形化的石墨烯。所 得石墨烯膜具有高强度和高硬度,透光率达到80%,尺寸达到 厘米级,为低成本生产大面积的柔性石墨烯电子产品提供了 可能。收起