PN结中的P和N各表示什么?
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体,另一侧掺杂成为 N 型半导体,两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层(不能移动的正,负离子),称为 PN 结。
杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体
P 型半导体
1。 N 型半导体(Negative)
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,如磷,锑,砷等,即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷,锑,砷等。
本征半导体掺入 5 价元素后,原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。 杂质原子最外层有 5 个价电子,其中 4 个与硅构成共价键,多余一个电子只受自身原子核吸引,在室温下即可成为自由电子。...全部
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体,另一侧掺杂成为 N 型半导体,两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层(不能移动的正,负离子),称为 PN 结。
杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体
P 型半导体
1。
N 型半导体(Negative)
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,如磷,锑,砷等,即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷,锑,砷等。
本征半导体掺入 5 价元素后,原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。
杂质原子最外层有 5 个价电子,其中 4 个与硅构成共价键,多余一个电子只受自身原子核吸引,在室温下即可成为自由电子。
自由电子浓度远大于空穴的浓度,即 n >> p 。电子称为多数载流子(简称多子),空穴称为少数载流子(简称少子)。
2。 P 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素,如硼,镓,铟等,即构成 P 型半导体。
空穴浓度多于电子浓度,即 p >> n。空穴为多数载流子,电子为少数载流子。
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体,另一侧掺杂成为 N 型半导体,两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层(不能移动的正,负离子),称为 PN 结。
PN 结具有单向导电性。
将 PN 结封装在塑料,玻璃或金属外壳里,再从 P 区和 N 区分别焊出两根引线作正,负极。
半导体二极管又称晶体二极管。
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