功率三极管和功率场效应管作为开关元件各有何特点?
功率三极管 电流控制元件,用作开关时候,工作在饱和工作区域(导通)和截止区(关断),导通时候存在电导调制效应,导通电阻小,导通压降小,静态损耗较小。导通电阻为负温度系数。开通时候要求有持续的电流输入,因此驱动损耗较大。 普通功率三极管电流容量,小功率三极管一般为1A左右,开关频率可以达到200MHZ,达灵顿结构的三极管的电流可以做得更大,但是以牺牲开关频率为代价。普通功率三极管功率容量较小,耐压一般在60V左右,一般作为显示或者模拟控制。 更大型的功率晶体管容量十分大。
场效应管 电压控制元件,仅仅在开关时候需要从栅极吸收或者释放电流,因此驱动损耗较小。多子器件,没有电导调制效应,有一...全部
功率三极管 电流控制元件,用作开关时候,工作在饱和工作区域(导通)和截止区(关断),导通时候存在电导调制效应,导通电阻小,导通压降小,静态损耗较小。导通电阻为负温度系数。开通时候要求有持续的电流输入,因此驱动损耗较大。
普通功率三极管电流容量,小功率三极管一般为1A左右,开关频率可以达到200MHZ,达灵顿结构的三极管的电流可以做得更大,但是以牺牲开关频率为代价。普通功率三极管功率容量较小,耐压一般在60V左右,一般作为显示或者模拟控制。
更大型的功率晶体管容量十分大。
场效应管 电压控制元件,仅仅在开关时候需要从栅极吸收或者释放电流,因此驱动损耗较小。多子器件,没有电导调制效应,有一个近似线性I-V关系,导通压降随着电流增大增大。
高耐压的场效应管的漂移区较厚,因此导通电阻较大。导通电阻具有正温度系数,并联时候可以实现自动均流。硅半导体的MOSFET耐压等级为600V以下。这是因为导通压降和耐压的关系的限制。新型的碳化硅MOSFET的耐压等级可以做到1200V。
对于高耐压情况,IGBT结合了MOSFET和晶体管的特性,具有MOSFET优异的开关性能和晶体管的静态性能,在1000V~6000V应用场合更受到青睐。
三极管偏向于控制,而MOSFET更多应用于电能转换场合。收起